[实用新型]一种大功率半导体二极管有效
| 申请号： | 201520819283.2 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN205016512U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 许霞林 | 申请（专利权）人： | 深圳市九鼎安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率半导体二极管，包括引线、阴极端子、阳极端子、连接头、P型半导体、N型半导体、PN结、合金层和底座，所述合金层设置于所述底座上方，所述合金层内部设置有P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和N型半导体之间设置有PN结，所述P型半导体与所述阳极端子相连接，所述N型半导体与所述阴极端子相连接，所述阴极端子和阳极端子上均设置有引线，所述连接头连接端子和引线。本实用新型的优点在于：该二极管采用带有微槽散热结构的合金层，配合高导热效率的金属导热层，提高了大功率二极管的散热效率、延长了二极管的使用寿命，提高了使用稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
一种大功率半导体二极管，包括引线（1）、阴极端子（2）、阳极端子（3）、连接头（4）、P型半导体（5）、N型半导体（6）、PN结（7）、合金层（8）和底座（9），所述合金层（8）设置于所述底座（9）上方，所述合金层（8）内部设置有P型半导体（5）和N型半导体（6），所述P型半导体（5）和N型半导体（6）之间设置有PN结（7），所述P型半导体（5）与所述阳极端子（3）相连接，所述N型半导体（6）与所述阴极端子（2）相连接，所述阴极端子（2）和阳极端子（3）上均设置有引线（1），所述连接头（4）连接阴极端子（2）、阳极端子（3）和引线（1）；所述合金层（8）设置有微型凹槽（81），所述合金层（8）外有高效导热涂层。
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