[实用新型]一种大功率半导体二极管有效

专利信息
申请号: 201520819283.2 申请日: 2015-10-22
公开(公告)号: CN205016512U 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 许霞林 申请(专利权)人: 深圳市九鼎安电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518116 广东省深圳市龙岗区龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 半导体 二极管
【权利要求书】:

1.一种大功率半导体二极管,包括引线(1)、阴极端子(2)、阳极端子(3)、连接头(4)、P型半导体(5)、N型半导体(6)、PN结(7)、合金层(8)和底座(9),所述合金层(8)设置于所述底座(9)上方,所述合金层(8)内部设置有P型半导体(5)和N型半导体(6),所述P型半导体(5)和N型半导体(6)之间设置有PN结(7),所述P型半导体(5)与所述阳极端子(3)相连接,所述N型半导体(6)与所述阴极端子(2)相连接,所述阴极端子(2)和阳极端子(3)上均设置有引线(1),所述连接头(4)连接阴极端子(2)、阳极端子(3)和引线(1);所述合金层(8)设置有微型凹槽(81),所述合金层(8)外有高效导热涂层。

2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体二极管,其特征在于:所述连接头(4)为球形铝合金。

3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体二极管,其特征在于:所述高效导热涂层外有耐高温漆层。

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