[实用新型]一种半导体激光器微通道冷却热沉有效
| 申请号： | 201520814423.7 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN205212175U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 左立峰 | 申请（专利权）人： | 宜兴市大元电子科技有限公司;左立峰 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 | 代理人： | 周舟 |
| 地址： | 214205 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器微通道冷却热沉，涉及半导体激光器用微通道热沉，包括单片式基体，所述基体由上下堆叠的5层高导热矩形薄片组成，每层高导热矩形薄片表面刻槽，相互堆叠焊接封装后内部形成冷却微通道，基体上下面的高导热矩形薄片为WCu电子封装材料，中间三层的高导热矩形薄片为AlSiC电子封装材料。与芯片匹配率高，比铜微通道冷却热沉提高10倍以上，大大延长高功率半导体激光器的寿命，降低半导体激光阵列芯片与热沉的焊接难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 通道 冷却 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器微通道冷却热沉，包括单片式基体，所述基体由上下堆叠的5层高导热矩形薄片组成，每层高导热矩形薄片表面刻槽，相互堆叠焊接封装后内部形成冷却微通道，其特征在于基体上下面的高导热矩形薄片为WCu电子封装材料，中间三层的高导热矩形薄片为AlSiC电子封装材料。
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