[实用新型]复合高压半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种复合高压半导体器件，其版图包括沿直线排布的直边部分，直边部分设置有增强型器件，增强型器件包括：半导体衬底；并列地位于半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱；第一场氧化层，位于第一高压阱内；第一漏极欧姆接触区，位于第一场氧化层第一侧的第一高压阱内；第一源极欧姆接触区，位于第二高压阱内；第一栅极，至少覆盖第一源极欧姆接触区和第一场氧化层第二侧之间的半导体衬底，第一场氧化层的第一侧远离第二高压阱，第一场氧化层的第二侧靠近第二高压阱；其中，第二高压阱的掺杂浓度小于第一高压阱的掺杂浓度。本实用新型有利于提高器件的可靠性。

主权项

一种复合高压半导体器件，其特征在于，所述复合高压半导体器件的版图包括沿直线排布的直边部分，所述直边部分设置有增强型器件，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件包括：半导体衬底；并列地位于所述半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱，所述第一高压阱和第二高压阱具有第一掺杂类型；第一场氧化层，位于所述第一高压阱内；第一漏极欧姆接触区，位于所述第一场氧化层第一侧的第一高压阱内，所述第一漏极欧姆接触区具有第一掺杂类型或第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第一源极欧姆接触区，位于所述第二高压阱内，所述第一源极欧姆接触区具有第一掺杂类型；第一栅极，至少覆盖所述第一源极欧姆接触区和所述第一场氧化层第二侧之间的半导体衬底，所述第一场氧化层的第一侧远离所述第二高压阱，所述第一场氧化层的第二侧靠近所述第二高压阱。