[实用新型]复合高压半导体器件

权利要求书

1.一种复合高压半导体器件，其特征在于，所述复合高压半导体器件的版图包括沿直线排布的直边部分，所述直边部分设置有增强型器件，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件包括：

半导体衬底；

并列地位于所述半导体衬底内的第一高压阱和第二高压阱，所述第一高压阱和第二高压阱具有第一掺杂类型；

第一场氧化层，位于所述第一高压阱内；

第一漏极欧姆接触区，位于所述第一场氧化层第一侧的第一高压阱内，所述第一漏极欧姆接触区具有第一掺杂类型或第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；

第一源极欧姆接触区，位于所述第二高压阱内，所述第一源极欧姆接触区具有第一掺杂类型；

第一栅极，至少覆盖所述第一源极欧姆接触区和所述第一场氧化层第二侧之间的半导体衬底，所述第一场氧化层的第一侧远离所述第二高压阱，所述第一场氧化层的第二侧靠近所述第二高压阱。

2.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第二高压阱的掺杂浓度小于所述第一高压阱的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件还包括：

第一低压阱，位于所述第二高压阱内，所述第一低压阱具有第二掺杂类型，所述第一源极欧姆接触区位于所述第一低压阱内。

4.根据权利要求3所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述直边部分的剖面方向上，所述增强型器件还包括：

第二掺杂类型的第一埋层，位于所述第一高压阱内；

第二掺杂类型的第二埋层，位于所述第一低压阱下方的第二高压阱内。

5.根据权利要求4所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述直边部分包括多个直边导电部分和多个直边连接部分，所述直边导电部分和直边连接部分相互间隔，其中，

在所述直边导电部分内，所述第一埋层和第二埋层之间存在间隔；

在所述直边连接部分内，所述第一埋层和第二埋层相接。

6.根据权利要求5所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一低压阱内还具有体接触区，所述直边连接部分内的第一埋层和第二埋层通过所述体接触区连接至地电位。

7.根据权利要求5所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一栅极仅在所述直边连接部分内通过互连线引出，而在所述直边导电部分内不引出。

8.根据权利要求5所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一埋层和/或第二埋层为线性变掺杂结构。

9.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述第一高压阱的深度大于所述第二高压阱的深度。

10.根据权利要求1所述的复合高压半导体器件，其特征在于，所述高压半导体器件的版图还包括弯曲排布的漏指头尖倒角部分，所述漏指头尖倒角部分与所述直边部分相接，所述漏指头尖倒角部分设置有耗尽型器件。

11.根据权利要求10所述的复合高压半导体器件，其特征在于，在所述漏指头尖倒角部分的剖面方向上，所述耗尽型器件包括：

所述半导体衬底；

并列地位于所述半导体衬底内的第三高压阱和第四高压阱，所述第三高压阱和第四高压阱具有第一掺杂类型；

第二场氧化层，位于所述第三高压阱内；

第二漏极欧姆接触区，位于所述第二场氧化层第一侧的第三高压阱内，所述第二漏极欧姆接触区具有第一掺杂类型，所述第二场氧化层的第一侧为远离所述第四高压阱的一侧；

第二低压阱，位于所述第四高压阱内，所述第二低压阱具有第二掺杂类型，所述第二低压阱作为JFET器件的栅极；

第三低压阱，与所述第二低压阱并列地位于所述第四高压阱内，所述第三低压阱具有第一掺杂类型；

JFET欧姆接触区，位于所述第三低压阱内，所述JFET欧姆接触区作为所述JFET器件的源极；

其中，所述第四高压阱的掺杂浓度小于所述第三高压阱的掺杂浓度。