[实用新型]一种静电保护二极管有效
| 申请号： | 201520802428.8 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN205016534U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨玉茹;雷玮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种静电保护二极管，所述二极管至少包括：第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区；所述第一导电类型的扩散区包围至少两个所述第二导电类型的扩散区；或者所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区间隔排列形成阵列结构。所述二极管还包括环绕在第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区周围的虚拟多晶硅栅。本实用新型二极管中，单位面积的二极管扩散区的侧边周长大幅增大，P+扩散区与N+扩散区的宽度以及P+扩散区与N+扩散区之间的距离只需要满足最小设计尺寸。另外，本实用新型的结构解决了多晶硅栅密度不均带来的工艺影响，在有限的面积里实现更优秀的ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 二极管 | ||
【主权项】：
一种静电保护二极管，其特征在于，所述二极管至少包括：第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区；所述第一导电类型的扩散区包围至少两个所述第二导电类型的扩散区；或者所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区间隔排列形成阵列结构。
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