[实用新型]一种静电保护二极管有效
| 申请号： | 201520802428.8 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN205016534U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨玉茹;雷玮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 二极管 | ||
1.一种静电保护二极管，其特征在于，所述二极管至少包括：第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区；
所述第一导电类型的扩散区包围至少两个所述第二导电类型的扩散区；或者所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区间隔排列形成阵列结构。
2.根据权利要求1所述的静电保护二极管，其特征在于：所述二极管还包括环绕在所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区周围的虚拟多晶硅栅。
3.根据权利要求1所述的静电保护二极管，其特征在于：第一导电类型的扩散区为P+扩散区，第二导电类型的扩散区为N+扩散区。
4.根据权利要求1所述的静电保护二极管，其特征在于：第一导电类型的扩散区为N+扩散区，第二导电类型的扩散区为P+扩散区。
5.根据权利要求1所述的静电保护二极管，其特征在于：所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区呈方形结构。
6.根据权利要求1所述的静电保护二极管，其特征在于：所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区上形成有用于引出所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区的接触孔。
7.根据权利要求1所述的静电保护二极管，其特征在于：所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区形成于同一衬底上。
8.根据权利要求1所述的静电保护二极管，其特征在于：所述第一导电类型的扩散区和第二导电类型的扩散区之间的间隔等于最小设计规则，所述最小设计规则为工艺允许的最小尺寸。
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