[实用新型]图像传感器像素电路及处理器系统

摘要

本实用新型涉及图像传感器像素电路及处理器系统。本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。一种图像传感器像素，形成于半导体衬底上，包括：光电二极管区，响应于图像光产生电荷；浮动扩散区；电荷转移晶体管，被配置为将所产生的电荷从光电二极管区转移到浮动扩散区；半导体衬底中的n型掺杂阱区；p沟道金属氧化物半导体MOS源极跟随器晶体管，形成于半导体衬底上的n型掺杂阱区内，其中p沟道MOS源极跟随器晶体管具有耦合到浮动扩散区的栅极端子和耦合到列读出线的源极端子；以及n沟道MOS重置晶体管，耦合在浮动扩散区和偏置电压列线之间，被配置为重置浮动扩散区。可以增加光电二极管的面积和电荷存储能力。

主权项

一种图像传感器像素电路，形成于半导体衬底上，其特征在于包括：光电二极管区，响应于图像光产生电荷；浮动扩散区；电荷转移晶体管，被配置为将所产生的电荷从所述光电二极管区转移到所述浮动扩散区；所述半导体衬底中的n型掺杂阱区；p沟道金属氧化物半导体MOS源极跟随器晶体管，形成于所述半导体衬底上的所述n型掺杂阱区内，其中所述p沟道MOS源极跟随器晶体管具有耦合到所述浮动扩散区的栅极端子和耦合到列读出线的源极端子；以及n沟道MOS重置晶体管，耦合在所述浮动扩散区和偏置电压列线之间，被配置为重置所述浮动扩散区。