[实用新型]一种双电缸垂直升降的开腔结构有效
| 申请号: | 201520710956.0 | 申请日: | 2015-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN205077134U | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
| 发明(设计)人: | 陈英男;姜崴;郑旭东;关帅;李景舒;霍阳阳 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C16/44 |
| 代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
| 地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的双电缸垂直升降的开腔结构。双电缸倒置安装,同步控制,两侧提供举升力开启腔体上盖板。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括:上盖板,设置在腔体上,用于开启与开闭;两个电机,分别固定安装在两个电缸主体上,与电缸主体一起倒置设置在上盖板的上方,通过电缸主体与上盖板固定;电缸推杆,穿过上盖板与电机的输出轴连接,其端部固定安装在腔体上。本实用新型通过双电缸倒置式安装,两侧提供举升力,避免单边受力造成上盖板扭曲变形。电缸推杆安装在腔体上,电缸主体安装在上盖板上,运动过程中,杠杆伸出,使电缸主体与上盖板一起运动。倒置式安装方式,节省设备下方所需空间。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 双电缸 垂直 升降 开腔 结构 | ||
【主权项】:
一种双电缸垂直升降的开腔结构,其特征在于,包括:上盖板,设置在腔体上,用于开启与开闭;两个电机,分别固定安装在两个电缸主体上,与电缸主体一起倒置设置在上盖板的上方,通过电缸主体与上盖板固定;电缸推杆,穿过上盖板与电机的输出轴连接,其端部固定安装在腔体上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳拓荆科技有限公司,未经沈阳拓荆科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520710956.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PECVD沉积系统
- 下一篇:一种磁控溅射装置
- 同类专利
- 专利分类





