[实用新型]一种双电缸垂直升降的开腔结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种应用于半导体薄膜沉积设备的双电缸垂直升降的开腔结构。双电缸倒置安装，同步控制，两侧提供举升力开启腔体上盖板。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术

半导体薄膜沉积设备在调试或生产时需要进行零部件的拆装及维护，因此设备的腔盖需要能够实现开启及关闭以便进行开腔操作。在不存在自动传片的小型实验设备中，往往需要通过开、关腔盖来进行取、送晶圆的操作。

因为腔体的盖板并不是独立存在的，其上往往安装了其他附属的功能部件或管路等，仅凭手动实现开关腔的操作可能会造成人体的疲劳、损伤，这样的设计是不完善的，而且也比较容易出现安全事故，伤及人员或设备。

现有的设备往往是翻转式盖板操作，有使用气弹簧增力或是使用其他电动或气动结构进行开关腔动作，以便减少对人体的伤害及提高效率。

但对于一些半导体薄膜沉积设备在进行沉积反应时，为节约宝贵的特气资源及加快反应时间、提高设备效率，往往对腔内体积有较严格的控制要求。所以半导体薄膜沉积设备的腔内结构往往设计的非常紧凑。腔内没有空间可以容纳翻转式开腔结构。

针对上述现象的存在所以有些设备会选择垂直式的开腔方式，这样可以避免翻转动作造成的设备损伤或碰撞。因为半导体薄膜沉积设备的腔体属于精密部件，应最大限度的避免部件碰撞，这就需要腔体开腔时，盖板平稳、准确的移动。盖板因受力不均而产生的弯曲变形是不被容许的。以往的垂直升降式开腔方式往往采用单动力源控制，即选用一个电缸或气缸做为升降动作的执行部件。因为设备的中心往往有重要的功能部件占据，升降执行部件仅能安装在腔体一侧，这样就会使整个设备在升降过程中单边受力造成偏载，腔体盖板在开腔过程中不能完全保持水平，造成部件碰撞的隐患。

半导体薄膜沉积设备功能复杂，构件众多，配件布局必须合理紧凑，使设备体积尽量缩小，并且维修方便。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种解决现有的垂直开腔方式不能平稳的开腔的问题的双电缸垂直升降的开腔结构。

本实用新型是这样实现的，一种双电缸垂直升降的开腔结构，包括：

上盖板，设置在腔体上，用于开启与开闭；

两个电机，分别固定安装在两个电缸主体上，与电缸主体一起倒置设置在上盖板的上方，通过电缸主体与上盖板固定；

电缸推杆，穿过上盖板与电机的输出轴连接，其端部固定安装在腔体上。

本实用新型进一步的改进，电缸推杆对称安装在上盖板的一侧，两导杆与电缸推杆相对应穿过上盖板的另一侧后固定在腔体上。

本实用新型进一步的改进，上盖板沿着电缸推杆可滑动。

本实用新型进一步的改进，上盖板沿着导杆可滑动。

本实用新型与现有技术相比，有益效果在于：

本实用新型通过双电缸倒置式安装，两侧提供举升力，避免单边受力造成上盖板扭曲变形。电缸推杆安装在腔体上，电缸主体安装在上盖板上，运动过程中，杠杆伸出，使电缸主体与上盖板一起运动。倒置式安装方式，节省设备下方所需空间。

通过双电缸垂直升降带动上盖板开启达到平稳开腔的目的。双电缸配合导轨的结构，开腔时整个腔体上盖板受力均匀，避免偏载导致的变形。

通过倒置的电机结构，整个结构设计即可适用于小型精密实验设备又可应用于大型生产设备。具有稳定、准确的控制能力及灵活、简单的适应性。对设备的稳定性、可靠性的提升及生产率的提高有较大的益处。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的双电缸垂直升降的开腔结构正视图

图2是本实用新型实施例提供的双电缸垂直升降的开腔结构等轴测图

图中标号为：1、电机；2、电缸主体；3、上盖板；4、电缸推杆；5、腔体；6、导杆。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例以及附图，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例