[实用新型]高散热性能的半导体器件有效
| 申请号： | 201520680233.0 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN204834604U | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰;李春江 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高散热性能的半导体器件。该半导体器件包括：衬底，衬底具有多个通孔，通孔从衬底的上表面贯穿至衬底的下表面；外延片，外延片生长在衬底上；其中，外延片包括位于衬底上横向生长的成核层和位于成核层上的器件结构。通过上述方式，本实用新型能够提高器件散热性能，有效降低器件工作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 性能 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高散热性能的半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有多个通孔，所述通孔从所述衬底的上表面贯穿至所述衬底的下表面；外延片，所述外延片生长在所述衬底上；其中，所述外延片包括位于所述衬底上横向生长的成核层和位于所述成核层上的器件结构。
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