[实用新型]高散热性能的半导体器件

权利要求书

1.一种高散热性能的半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有多个通孔，所述通孔从所述衬底的上表面贯穿至所述衬底的下表面；

外延片，所述外延片生长在所述衬底上；

其中，所述外延片包括位于所述衬底上横向生长的成核层和位于所述成核层上的器件结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为SiC衬底、GaN衬底、Si衬底、蓝宝石衬底或GaAs衬底。

3.根据权利要求1或2所述的高散热性能的半导体器件，其特征在于，所述通孔在所述衬底上均匀分布。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的形状为圆形、椭圆形、三角形或四边形。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的大小为1-500μm，所述通孔的间距为5-800μm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述成核层为GaN薄膜或SiC薄膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述成核层的厚度为0-1mm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔中填充有冷凝剂。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件结构包括由下至上依次层叠的沟道层和势垒层，所述势垒层上形成有源极、栅极、漏极以及覆盖所述势垒层、源极、栅极和漏极的介质层。