[实用新型]具有自适应性的场截止电压控制型功率器件有效
| 申请号： | 201520633743.2 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN204834629U | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 胡强;蒋兴莉;孔梓玮;王思亮;张世勇 | 申请（专利权）人： | 中国东方电气集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610036 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件领域，具体为具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，包括金属导电层，所述金属导电层的一侧设置有衬底，所述衬底上设置有多个沟槽，所述衬底的一侧设置有电压控制型功率器件的正面结构，沟槽一侧的金属导电层上设置有电位V端；所述金属导电层与衬底之间还有背面重掺杂区，各沟槽内设置有沟槽导电填充物，在所述沟槽的侧壁和沟槽底部设置有绝缘层，各沟槽之间形成感应电荷浓度增强区。本实用新型完全通过器件结构设计来实现场截止，彻底摆脱了现有技术掺杂方法所固有的扩散深度有限、高温过程影响器件其他结构以及工艺受限等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自适应性 截止 电压 控制 功率 器件 | ||
【主权项】：
具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：包括金属导电层（101），所述金属导电层（101）的一侧设置有衬底（100），所述衬底（100）上设置有多个沟槽，所述衬底（100）的一侧设置有电压控制型功率器件的正面结构（105），沟槽一侧的金属导电层（101）上设置有电位V端；所述金属导电层（101）与衬底（100）之间还有背面重掺杂区（106），各沟槽内设置有沟槽导电填充物（102），在所述沟槽的侧壁和沟槽底部（1031）设置有绝缘层（103），各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区（104）。
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