[实用新型]具有自适应性的场截止电压控制型功率器件

权利要求书

1.具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：包括金属导电层（101），所述金属导电层（101）的一侧设置有衬底（100），所述衬底（100）上设置有多个沟槽，所述衬底（100）的一侧设置有电压控制型功率器件的正面结构（105），沟槽一侧的金属导电层（101）上设置有电位V端；所述金属导电层（101）与衬底（100）之间还有背面重掺杂区（106），各沟槽内设置有沟槽导电填充物（102），在所述沟槽的侧壁和沟槽底部（1031）设置有绝缘层（103），各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区（104）。

2.根据权利要求1所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：所述电压控制型功率器件的正面结构（105）包括IGBT或VDMOS。

3.根据权利要求1所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：所述电位V端为背面电极，衬底（100）为N型时，电位V端加正偏压；衬底（100）为P型时，电位V端加负偏压。

4.根据权利要求2所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：电压控制型功率器件为IGBT时，电位V端称为集电极，电压控制型功率器件为VDMOS时，电位V端称为漏极。

5.根据权利要求1所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：所述衬底（100）包括硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓或金刚石，所述衬底（100）的导电类型为P型或者N型。

6.根据权利要求1所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：所述金属导电层（101）包括多晶硅、铝、银、铜、钛、镍、钼、金或其合金；所述沟槽导电填充物（102）包括多晶硅、铝、银、铜、钛、镍、钼、金或其合金。

7.根据权利要求1所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：所述绝缘层（103）包括氧化硅、氮化硅、氧化钽或氧化锆。

8.根据权利要求4所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：当器件为N型衬底（100）的IGBT时，背面重掺杂区（106）为P型掺杂，为P型衬底（100）的IGBT时，背面重掺杂区（106）为N型掺杂；当器件为N型衬底（100）的VDMOS时，背面重掺杂区（106）为N型掺杂，为P型衬底（100）的VDMOS时，背面重掺杂区（106）为P型掺杂。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：各感应电荷浓度增强区（104）的宽度全部相同、部分相同或全部不同。

10.根据权利要求1-8任意一项所述的具有自适应性的场截止电压控制型功率器件，其特征在于：所述沟槽的截面为梯形或矩形，沟槽底部（1031）为直线或弧线，沟槽开口宽度为0.5um-3um，沟槽底部（1031）宽度为0.5um-3um，沟槽间隔为0.5um-1.5um，沟槽深度为2um-20um。