[实用新型]一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构有效
| 申请号： | 201520633002.4 | 申请日： | 2015-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN204834631U | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 胡强;蒋兴莉;孔梓玮;王思亮;张世勇 | 申请（专利权）人： | 中国东方电气集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610036 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件领域，具体为一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，包括金属导电层，金属导电层的一侧设置有衬底，衬底上设置有多个沟槽，衬底的一侧设置有耗尽区，耗尽区一侧设置有电位V1，沟槽一侧的金属导电层上设置有电位V2；各沟槽内设置有沟槽导电填充物，在所述沟槽的侧壁和底部设置有绝缘层，各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区。本实用新型是通过器件结构设计来实现场截止的，彻底摆脱了现有技术所采用的掺杂方法所固有的扩散深度有限、高温过程影响器件其他结构以及工艺受限等缺点。并且本实用新型中的场截止功能是通过沟槽的场效应来实现的，该效应具有随电场增强而增强的自适应特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 沟槽 场效应 实现 自适应 截止 技术 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：包括金属导电层（101），所述金属导电层（101）的一侧设置有衬底（100），所述衬底（100）上设置有多个沟槽，所述衬底（100）的一侧设置有耗尽区（105），所述耗尽区（105）一侧设置有电位V1，沟槽一侧的金属导电层（101）上设置有电位V2；各沟槽内设置有沟槽导电填充物（102），在所述沟槽的侧壁和沟槽底部（1031）设置有绝缘层（103），各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区（104）。
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