[实用新型]一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构

权利要求书

1.一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：包括金属导电层（101），所述金属导电层（101）的一侧设置有衬底（100），所述衬底（100）上设置有多个沟槽，所述衬底（100）的一侧设置有耗尽区（105），所述耗尽区（105）一侧设置有电位V1，沟槽一侧的金属导电层（101）上设置有电位V2；各沟槽内设置有沟槽导电填充物（102），在所述沟槽的侧壁和沟槽底部（1031）设置有绝缘层（103），各沟槽之间形成相互连接的感应电荷浓度增强区（104）。

2.根据权利要求1所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述衬底（100）包括硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓或金刚石，所述衬底（100）的导电类型为P型或者N型。

3.根据权利要求1所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述金属导电层（101）包括多晶硅、铝、银、铜、钛、镍、钼、金或其合金。

4.根据权利要求1所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述沟槽导电填充物（102）包括多晶硅、铝、银、铜、钛、镍、钼、金或其合金。

5.根据权利要求1所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述绝缘层（103）包括氧化硅、氮化硅、氧化钽或氧化锆。

6.根据权利要求1所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述耗尽区（105）为PN结或者肖特基结。

7.根据权利要求2所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述衬底（100）为N型材料，所述电位V2>电位V1。

8.根据权利要求2所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述衬底（100）为P型材料，所述电位V2<电位V1。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：各感应电荷浓度增强区（104）的宽度全部相同、部分相同或全部不同。

10.根据权利要求1-8任意一项所述的一种采用沟槽场效应实现自适应场截止技术的器件结构，其特征在于：所述沟槽的截面为梯形或矩形，沟槽底部（1031）为直线或弧线，沟槽开口宽度为0.5um-3um，沟槽底部（1031）宽度为0.5um-3um，沟槽间隔为0.5um-1.5um，沟槽深度为2um-20um。