[实用新型]一种半导体功率器件结构

摘要

本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，在传统的横向功率器件Trench LDMOS结构的Trench层中引入多层深度不同的纵向金属场板，同时在漂移区中引入一层重掺杂n型层，在提高器件击穿电压方面，多层长度不等的金属场板可以在漂移区中引入多个新的电场峰值，同时将表面高电场引入体内，避免器件在表面提前击穿；全耗尽后的重掺杂n型层提高了Trench层表面电荷密度，提高了Trench层和漂移区电场，提高器件击穿电压，在降低器件导通电阻方面，深氧Trench层减小了横向漂移区长度。

主权项

一种半导体功率器件结构，其特征在于，所述半导体功率器件结构包括：源极、源金属、栅金属、漏极、漏极金属、源极体区、多晶硅、金属场板、N型重掺杂区、氧Trench层、N型漂移区、埋氧层、P型衬底；所述P型衬底在所述半导体功率器件结构的底层，所述埋氧层在所述P型衬底之上，所述N型漂移区在所述埋氧层之上，所述N型重掺杂区在所述N型漂移区之上，所述氧Trench层在所述N型重掺杂区之上，所述金属场板为多层长度不等的纵向场板，在所述N型漂移区靠近所述氧Trench层的表面注入一层重掺杂n型层。