[实用新型]含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片有效
| 申请号： | 201520620704.9 | 申请日： | 2015-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN204946924U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 胡晓龙;王洪;刘丽 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片。本实用新型在该衬底上利用外延沉积技术生长氮化镓外延层；在上述氮化镓外延层上沉积一反射电极层，然后沉积一电镀种子层；在上述电镀种子层上地涂覆一种非导电物质；在上述种子层上区域选择性地生长金属基板，形成第二衬底；利用激光剥离或湿法腐蚀技术使蓝宝石衬底与氮化镓外延层的分离，漏出N极性氮化镓；在N极性氮化镓表面制备复合微结构；干法选择刻蚀N极性氮化镓，刻蚀至n-GaN，并在n-GaN上制作n型电极本实用新型采用区域性电镀复合金属基板，蓝宝石衬底剥离，表面复合微结构制备，螺旋状环形电极制备相结合的方法来实现垂直结构LED芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 螺旋状 环形 电极 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于从下到上依次包括复合金属基板、电镀种子层、反射电极层、GaN外延层和螺旋状环形电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520620704.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池箱体焊接密封及支撑结构
- 下一篇：一种二极管封装结构
