[实用新型]含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片

权利要求书

1.含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于从下到上依次包括复合金属基板、电镀种子层、反射电极层、GaN外延层和螺旋状环形电极。

2.根据权利要求1所述的含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于所述复合金属基板由两种不同金属基板组合而成，下层金属基板为镍材料，厚度范围为10～50μm，上层金属基板为铜材料，厚度为100～200μm。

3.根据权利要求1所述的含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于所述电镀种子层为Ni/Au，Cr/Au，Ti/Au，Cr/Pt/Au，Ti/Cu，TiW/Cu中的一种，该电镀种子层完全覆盖反射电极层的表面和侧面；所述电镀种子层为整层沉积；所述电镀种子层的厚度为500nm～1500nm。

4.根据权利要求1所述的含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于所述反射电极层是Ag-，Ni/Ag-，ITO+Ag-电极，厚度范围为120nm～500nm；所述反射电极层为区域沉积，区域面积小于LED芯片面积。

5.根据权利要求1所述的含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于所述GaN外延层从下到上的结构包括：p-GaN，有源区，n-GaN和u-GaN；其中u-GaN的表面为N极性氮化镓；所述u-GaN具有螺旋状环形结构的沟槽；所述u-GaN除沟槽外的表面为复合微结构。

6.根据权利要求1所述的含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于所述螺旋状环形电极被具有螺旋状环形结构沟槽的u-GaN包围，与n-GaN接触；所述螺旋状环形电极小于沟槽尺寸大小。

7.根据权利要求1所述的含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片，其特征在于所述螺旋状环形电极为方形螺旋，最外方形圈距离反射电极边界的水平距离为80～120μm，n型电极的线宽为10～20μm，方形螺旋间距为30～100μm，电极的螺旋圈数为2～6圈。