[实用新型]一种低浓度超薄的IGBT芯片

摘要

一种低浓度超薄的IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。包括P型的衬底（1），在衬底（1）上依次设有N型的第一外延层（2）和第二外延层（3），在第二外延层（3）上设置MOS结构，芯片最上方覆盖有金属层（4），其特征在于：衬底（1）的掺杂浓度为10¹⁵~10¹⁷个/cm³，衬底（1）的厚度为1~20μm。本低浓度超薄的IGBT芯片，将衬底的厚度减薄，同时将衬底的浓度降低，提升了芯片的关断速度从而提升产品的工作频率，省去了PT型IGBT制造过程中为提高其工作频率而照电子辐照及高温退火的工序，以及NPT型IGBT制造过程中制程背面工艺及激光扫描的复杂工序，提高芯片流片效率并降低成本。

主权项

一种低浓度超薄的IGBT芯片，包括P型的衬底（1），在衬底（1）上依次设有N型的第一外延层（2）和第二外延层（3），在第二外延层（3）上设置MOS结构，芯片最上方覆盖有金属层（4），其特征在于：衬底（1）的掺杂浓度为10¹⁵~10¹⁷个/cm³，衬底（1）的厚度为1~20μm。