[实用新型]一种低浓度超薄的IGBT芯片有效
| 申请号： | 201520585638.6 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN204991716U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 浓度 超薄 igbt 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种低浓度超薄的IGBT芯片，包括P型的衬底（1），在衬底（1）上依次设有N型的第一外延层（2）和第二外延层（3），在第二外延层（3）上设置MOS结构，芯片最上方覆盖有金属层（4），其特征在于：衬底（1）的掺杂浓度为1015~1017个/cm3，衬底（1）的厚度为1~20μm。
2.根据权利要求1所述的低浓度超薄的IGBT芯片，其特征在于：所述的衬底（1）的厚度为1~10μm。
3.一种低浓度超薄的IGBT芯片，包括N型的衬底（1），在衬底（1）上依次设有P型的第一外延层（2）和第二外延层（3），在第二外延层（3）上设置MOS结构，芯片最上方覆盖有金属层（4），其特征在于：衬底（1）的掺杂浓度为1015~1017个/cm3，衬底（1）的厚度为1~20μm。
4.根据权利要求3所述的低浓度超薄的IGBT芯片，其特征在于：所述的衬底（1）的厚度为1~10μm。
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