[实用新型]降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件有效
| 申请号： | 201520572072.3 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN204857733U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;陈俊峰;周雯 | 申请（专利权）人： | 上海晶亮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200233 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种降低起始电压及导通电阻的MOSFET组，包括源极、电介质层、N+源区、多晶硅栅极、栅极电介质层、漏极、P井区、N型外延区、P型区域,电介质层位于源极和多晶硅栅极之间，N+源区位于栅极电介质层的侧面，栅极电介质层位于多晶硅栅极的外围，漏极位于N型外延区的下方，P型区域位于P井区内，P井区位于N+源区的下方。本实用新型在提高N型衬底区的状况下，不需提高P井区的参杂浓度和深度，具有低导通电压和低导通电阻的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 起始 电压 通电 mosfet 组件 | ||
【主权项】：
一种降低起始电压及导通电阻的MOSFET组，其特征在于，包括源极、电介质层、N+源区、多晶硅栅极、栅极电介质层、漏极、P井区、N型外延区、P型区域,电介质层位于源极和多晶硅栅极之间，N+源区位于栅极电介质层的侧面，栅极电介质层位于多晶硅栅极的外围，漏极位于N型外延区的下方，P型区域位于P井区内，P井区位于N+源区的下方。
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