[实用新型]双向开关

摘要

本申请涉及双向开关。提供一种形成在衬底中的双向开关，包括：反并联的第一主垂直晶闸管和第二主垂直晶闸管；第三辅助垂直晶闸管，具有与第一主垂直晶闸管的背表面层相同的背表面层；外围区域，围绕这些晶闸管，并且将背表面层连接至定位在衬底的另一侧的第三辅助垂直晶闸管的相同导电类型的中间层；金属化层，连接第一主垂直晶闸管和第二主垂直晶闸管的背表面；以及绝缘结构，定位在第三辅助垂直晶闸管的背表面层和金属化层之间，并且在第一主垂直晶闸管的外围下方延伸，这种结构包括：由绝缘材料制成的第一区域；以及由半导体材料制成的互补区域。

主权项

一种双向开关，其特征在于，所述双向开关形成在具有正表面和背表面的第一导电类型的半导体衬底之内和之上，所述双向开关包括：第一主垂直晶闸管，具有第二导电类型的背表面层；第二主垂直晶闸管，具有所述第一导电类型的背表面；第三辅助垂直晶闸管，具有与第一主垂直晶闸管的所述背表面层相同的所述第二导电类型的背表面层；所述第二导电类型的外围区域，围绕所述第一主垂直晶闸管、所述第二主垂直晶闸管和所述第三辅助垂直晶闸管，与所述第三辅助垂直晶闸管的所述背表面层接触，并且与定位在所述衬底的另一侧的该第三辅助垂直晶闸管的所述第二导电类型的中间层接触，或者通过金属化层电连接至该中间层；第一金属化层，连接所述第一主垂直晶闸管和所述第二主垂直晶闸管的所述背表面；以及具有绝缘功能的结构，定位在所述第三辅助垂直晶闸管的所述背表面层和所述第一金属化层之间，并且在所述第一主垂直晶闸管的所述外围的部分下方延伸，所述结构包括：由绝缘材料制成的第一区域，覆盖所述衬底的所述背表面；以及由所述第一导电类型的半导体材料制成的第二区域，占据与由所述第一区域所占据的面积互补的面积。