[实用新型]双向开关

权利要求书

1.一种双向开关，其特征在于，所述双向开关形成在具有正表面和背表面的第一导电类型的半导体衬底之内和之上，所述双向开关包括：

第一主垂直晶闸管，具有第二导电类型的背表面层；

第二主垂直晶闸管，具有所述第一导电类型的背表面；

第三辅助垂直晶闸管，具有与第一主垂直晶闸管的所述背表面层相同的所述第二导电类型的背表面层；

所述第二导电类型的外围区域，围绕所述第一主垂直晶闸管、所述第二主垂直晶闸管和所述第三辅助垂直晶闸管，与所述第三辅助垂直晶闸管的所述背表面层接触，并且与定位在所述衬底的另一侧的该第三辅助垂直晶闸管的所述第二导电类型的中间层接触，或者通过金属化层电连接至该中间层；

第一金属化层，连接所述第一主垂直晶闸管和所述第二主垂直晶闸管的所述背表面；以及

具有绝缘功能的结构，定位在所述第三辅助垂直晶闸管的所述背表面层和所述第一金属化层之间，并且在所述第一主垂直晶闸管的所述外围的部分下方延伸，所述结构包括：由绝缘材料制成的第一区域，覆盖所述衬底的所述背表面；以及由所述第一导电类型的半导体材料制成的第二区域，占据与由所述第一区域所占据的面积互补的面积。

2.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述第一主垂直晶闸管和所述第三辅助垂直晶闸管的所述背表面层形成在所述第二导电类型的相同的层中，所述层基本上在所述开关的整个表面之上延伸，并且其中所述第一金属化层基本上在所述开关的整个背表面之上延伸。

3.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述第一主垂直晶闸管和所述第二主垂直晶闸管相邻，并且其中所述第三辅助垂直晶闸管定位在所述第一主垂直晶闸管的与所述第二主垂直晶闸管相对的一侧上。

4.根据权利要求3所述的开关，其特征在于，所述绝缘结构在定位于沿着所述第一主垂直晶闸管和所述第二主垂直晶闸管之间的相邻边缘行进的线的与所述第二主垂直晶闸管相对的一侧上的、所述开关的整个表面下方延伸。

5.根据权利要求3所述的开关，其特征在于，在底视图中所述绝缘结构在所述第一主垂直晶闸管的周围延伸，除了所述第一主垂直晶闸管的与所述第二主垂直晶闸管相邻的边缘的位置之外。

6.根据权利要求3所述的开关，其特征在于，所述绝缘结构的所述第一区域在所述第三辅助垂直晶闸管下方延伸，而所述绝缘结构的所述第二区域从在所述第一主垂直晶闸管和所述第二主垂直晶闸管之间的相邻边缘一直延伸到所述第一区域。

7.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，所述绝缘结构的所述第二区域的厚度小于所述第二主垂直晶闸管的所述背表面层的厚度。

8.根据权利要求1所述的开关，其特征在于：

所述第一主垂直晶闸管具有所述第一导电类型的正表面层；

所述第二主垂直晶闸管具有所述第二导电类型的正表面层；以及

所述第三辅助垂直晶闸管具有所述第一导电类型的正表面层，

所述开关进一步包括：第二金属化层，连接所述第一主垂直晶闸管和所述第二主垂直晶闸管的所述正表面层；以及第三金属化层，覆盖所述第三辅助垂直晶闸管的所述正表面层。

9.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，在顶视图中具有总体上为矩形的形状，并且其中所述第二主垂直晶闸管、所述第一主垂直晶闸管和所述第三辅助垂直晶闸管沿着所述开关的长度对齐。

10.根据权利要求1所述的开关，其特征在于，在顶视图中具有总体上为正方形的形状，并且其中所述第二主垂直晶闸管、所述第一主垂直晶闸管和所述第三辅助垂直晶闸管沿着所述开关的对角线对齐。