[实用新型]片上集成温度传感器电路有效

专利信息
申请号: 201520532347.0 申请日: 2015-07-22
公开(公告)号: CN204831597U 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 张剑云 申请(专利权)人: 苏州市灵矽微系统有限公司
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种片上集成温度传感器电路,其基于寄生双极晶体管,内置了一个12位的∑-ΔADC,8倍的可编程增益放大器,嵌入了带隙电压参考源,以及1位偏移DAC和数字后端处理器。利用标准CMOS工艺中的衬底PNP晶体管作为其主要的温度感应件,以及采用全温范围内的两点校准技术消除温度器件的非线性,从而实现了9微瓦功耗和±0.4℃温度精度的片上集成温度传感器电路。本实用新型利用标准CMOS工艺中的衬底PNP晶体管作为温度感应件,以及采用全温范围内的两点校准技术消除温度器件的非线性,从而实现低功耗高精度的片上集成温度传感器电路,满足测量精度(±0.5℃)和低功耗要求。
搜索关键词: 集成 温度传感器 电路
【主权项】:
一种片上集成温度传感器电路,其特征在于其包括:寄生双极晶体管、与寄生双极晶体管输出相连的可编程增益放大器、与可编程增益放大器输出相连的一模数转换器、与模数转换器输入相连的偏移数模转换器、输出与模数转换器相连的带隙电压参考源、和与模数转换器输出相连的数字后端处理器。
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