[实用新型]氮化镓高电子迁移率电子晶体管GaN HEMT偏置电路

摘要

本实用新型涉及一种氮化镓高电子迁移率电子晶体管GaN HEMT偏置电路，包括第一接地电容组、第一变压器、第二变压器、漏压开关和栅压产生与控制电路，第一接地电容组、第一变压器的输入端、漏压开关的第一输入端与外部电压输入端连接，第二变压器的输入端、栅压产生与控制电路的第一输入端与第一变压器的输出端连接，第二变压器的输出端与栅压产生与控制电路的第二输入端连接，漏压开关的输出端与GaN HEMT的漏极、栅压产生与控制电路的第三输入端连接，漏压开关的第二输入端与栅压产生与控制电路的第一输出端连接，栅压产生与控制电路的第二输出端、第四输入端与GaN HEMT的栅极连接。本实用新型实现了GaNHEMT电路的自动上、掉电功能，避免了GaN HEMT被大电流烧毁，保障了使用GaN HEMT的无线通信设备正常工作。

主权项

一种氮化镓高电子迁移率电子晶体管GaN HEMT偏置电路，其特征在于，包括：第一接地电容组、第一变压器、第二变压器、漏压开关和栅压产生与控制电路，其中，所述第一接地电容组、所述第一变压器的输入端、所述漏压开关的第一输入端与外部电压输入端连接，所述第二变压器的输入端、所述栅压产生与控制电路的第一输入端与所述第一变压器的输出端连接，所述第二变压器的输出端与所述栅压产生与控制电路的第二输入端连接，所述漏压开关的输出端与GaN HEMT的漏极、所述栅压产生与控制电路的第三输入端连接，所述漏压开关的第二输入端与所述栅压产生与控制电路的第一输出端连接，所述栅压产生与控制电路的第二输出端、所述栅压产生与控制电路的第四输入端与GaN HEMT的栅极连接。