[实用新型]氮化镓高电子迁移率电子晶体管GaN HEMT偏置电路

权利要求书

1.一种氮化镓高电子迁移率电子晶体管GaNHEMT偏置电路，其特征在于，包括：第一接地电容组、第一变压器、第二变压器、漏压开关和栅压产生与控制电路，其中，所述第一接地电容组、所述第一变压器的输入端、所述漏压开关的第一输入端与外部电压输入端连接，所述第二变压器的输入端、所述栅压产生与控制电路的第一输入端与所述第一变压器的输出端连接，所述第二变压器的输出端与所述栅压产生与控制电路的第二输入端连接，所述漏压开关的输出端与GaNHEMT的漏极、所述栅压产生与控制电路的第三输入端连接，所述漏压开关的第二输入端与所述栅压产生与控制电路的第一输出端连接，所述栅压产生与控制电路的第二输出端、所述栅压产生与控制电路的第四输入端与GaNHEMT的栅极连接。

2.根据权利要求1所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，还包括第二接地电容组，所述第二接地电容组与所述第一变压器的输出端连接。

3.根据权利要求1所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，还包括第三变压器，所述第三变压器连接于所述第一变压器输出端与所述栅压产生与控制电路的第一输入端之间。

4.根据权利要求3所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，还包括栅极偏置滤波网络，所述栅极偏置滤波网络连接于所述栅压产生与控制电路的第二输出端与GaNHEMT的栅极之间。

5.根据权利要求1所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，还包括漏极偏置滤波网络，所述漏极偏置滤波网络连接于所述漏压开关的输出端与GaNHEMT的漏极之间。

6.根据权利要求4所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，还包括连接于所述栅极偏置滤波网络与GaNHEMT的栅极之间的第一电阻。

7.根据权利要求4所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，所述栅压产生与控制电路包括：比较器，所述比较器的电源负极连接所述第二变压器输出端，电源正极连接所述第三变压器输出端，负极输入端与所述栅极偏置滤波网络连接，正极输入端接地，输出端连接所述漏压开关的第二输入端。

8.根据权利要求7所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，所述栅压产生与控制电路还包括：连接于所述漏压开关和所述比较器之间的第一N沟道场效应晶体管，其中，所述第一N沟道场效应晶体管的漏极连接所述漏压开关的第二输入端，源极接地，栅极连接所述比较器的输出端。

9.根据权利要求8所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，所述栅压产生与控制电路还包括：第二N沟道场效应晶体管，所述第二N沟道场效应晶体管的栅极连接所述漏压开关的输出端，漏极接地，源极连接所述栅极偏置滤波网络。

10.根据权利要求9所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，所述栅压产生与控制电路还包括：电容、第二电阻和第三电阻，所述电容连接于所述第二N沟道场效应晶体管的栅极和漏极之间，所述第二电阻连接于所述第二N沟道场效应晶体管的栅极和所述漏压开关的输出端之间，所述第三电阻连接于所述第二N沟道场效应晶体管的栅极和漏极之间。

11.根据权利要求10所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，所述栅压产生与控制电路还包括：第四电阻，第五电阻和第六电阻，所述第四电阻连接于所述第二N沟道场效应晶体管源极与所述栅极偏置滤波网络之间，所述第五电阻连接于第二N沟道场效应晶体管源极和所述第三变压器输出端之间，所述第六电阻连接于所述第三变压器输出端和所述栅极偏置滤波网络之间。

12.根据权利要求11所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，所述栅压产生与控制电路还包括：连接于所述第四电阻、所述第六电阻与所述栅极偏置滤波网络之间的放大器，所述放大器的负极输入端与所述第四电阻、所述第六电阻连接，正极输入端接地，输出端与所述栅极偏置滤波网络连接。

13.根据权利要求12所述的GaNHEMT偏置电路，其特征在于，所述栅压产生与控制电路进一步包括：温度补偿电路，所述温度补偿电路输入端与所述第三变压器的输出端连接，输出端与所述放大器的负极输入端连接。