[实用新型]包括III族氮化物叠层的半导体部件有效
| 申请号： | 201520502942.X | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN204732413U | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯;C·刘 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开中公开的实施例涉及包括III族氮化物叠层的半导体部件。根据实施例，所述半导体部件包括：半导体材料的主体；多个化合物半导体材料层，位于半导体材料的主体上方；第一和第二填充沟槽，延伸到所述多个化合物半导体材料层中；以及源电极、漏电极和栅电极，位于所述多个化合物半导体材料层上方。第一沟槽具有第一和第二侧壁以及底部以及位于第一和第二侧壁上方的第一介电衬垫，并且第二沟槽具有第一和第二侧壁以及底部以及位于第二沟槽的第一和第二侧壁上方的第二介电衬垫。根据本公开的半导体部件可以抑制漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 iii 氮化物 半导体 部件 | ||
【主权项】：
一种包括III族氮化物叠层的半导体部件，包括：半导体材料的主体，具有表面；成核层，位于半导体材料的主体上；III族氮化物材料层，位于成核层上；多个沟槽，其中所述多个沟槽中的每个沟槽延伸通过III族氮化物材料层、成核层并且延伸到半导体材料的主体中，并且其中所述多个沟槽中的每个沟槽具有底部和相对的侧壁；绝缘材料层，位于所述多个沟槽中的第一沟槽的相对的侧壁上并且位于所述多个沟槽中的第二沟槽的相对的侧壁上；和沟槽填充材料，位于第一和第二沟槽中。
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