[实用新型]包括III族氮化物叠层的半导体部件

权利要求书

1.一种包括III族氮化物叠层的半导体部件，包括：

半导体材料的主体，具有表面；

成核层，位于半导体材料的主体上；

III族氮化物材料层，位于成核层上；

多个沟槽，其中所述多个沟槽中的每个沟槽延伸通过III族氮化物材料层、成核层并且延伸到半导体材料的主体中，并且其中所述多个沟槽中的每个沟槽具有底部和相对的侧壁；

绝缘材料层，位于所述多个沟槽中的第一沟槽的相对的侧壁上并且位于所述多个沟槽中的第二沟槽的相对的侧壁上；和

沟槽填充材料，位于第一和第二沟槽中。

2.如权利要求1所述的半导体部件，其中从包括氮化铝和氮化硅的绝缘材料的组选择位于第一和第二沟槽的相对的侧壁上的绝缘材料层。

3.如权利要求2所述的半导体部件，其中所述第一和第二沟槽中的沟槽填充材料包括导电材料。

4.如权利要求3所述的半导体部件，其中所述第一和第二沟槽中的沟槽填充材料包括接触半导体材料的主体的掺杂多晶硅。

5.如权利要求2所述的半导体部件，其中所述第一和第二沟槽中的沟槽填充材料包括电绝缘材料。

6.如权利要求1所述的半导体部件，其中所述绝缘材料层位于第一和第二沟槽的底部上。

7.如权利要求6所述的半导体部件，其中位于底部上并且位于第一和第二沟槽的相对的侧壁上的绝缘材料层包括从包括氮化铝和氮化硅的绝缘材料的组选择的绝缘材料。

8.如权利要求6所述的半导体部件，其中所述第一和第二沟槽中的沟槽填充材料包括导电材料。

9.如权利要求1所述的半导体部件，其中从包括硅、氮化硅、氮化镓和蓝宝石的半导体材料的组选择半导体材料的主体。

10.如权利要求1所述的半导体部件，还包括：控制电极以及第一和第二电流传送电极，形成在应变层上方。

11.一种半导体部件，包括：

半导体材料的主体；

多个化合物半导体材料层，位于半导体材料的主体上；

第一沟槽，延伸通过所述多个化合物半导体材料层，第一沟槽具有第一和第二侧壁以及底部；

第二沟槽，延伸通过所述多个化合物半导体材料层，第二沟槽具有第一和第二侧壁以及底部；

绝缘材料，位于第一沟槽的第一和第二侧壁上并且位于第二沟槽的第一和第二侧壁上；

沟槽填充材料，位于第一和第二沟槽中；和

控制电极以及第一和第二电流传送电极，位于所述多个化合物半导体材料层上方、在第一和第二沟槽之间。

12.如权利要求11所述的半导体部件，其中所述多个化合物半导体材料层包括：

氮化铝层，位于半导体材料的主体上；

III-N材料层，位于氮化铝层上；

氮化镓层，位于III-N材料层上；和

氮化铝镓层，位于氮化镓层上。

13.如权利要求12所述的半导体部件，其中所述III-N材料层包括氮化镓。

14.如权利要求11所述的半导体部件，其中所述第一和第二沟槽中的沟槽填充材料包括掺杂多晶硅或氧化物之一。

15.如权利要求11所述的半导体部件，其中位于第一沟槽的第一和第二侧壁上并且位于第二沟槽的第一和第二侧壁上的绝缘材料也位于第二沟槽的底部上。

16.如权利要求15所述的半导体部件，其中所述第一和第二沟槽中的沟槽填充材料包括接触半导体材料的主体的掺杂多晶硅。

17.如权利要求16所述的半导体部件，其中所述第一电流传送电极和第二电流传送电极之一电耦合到第一沟槽中的沟槽填充材料。

18.一种半导体部件，包括：

半导体材料的主体；

多个化合物半导体材料层，位于半导体材料的主体上方；

第一和第二填充沟槽，延伸到所述多个化合物半导体材料层中，其中第一沟槽包括第一和第二侧壁以及底部以及位于第一和第二侧壁上方的第一介电衬垫，并且其中第二沟槽包括第一和第二侧壁以及底部以及位于第二沟槽的第一和第二侧壁上方的第二介电衬垫；以及

源电极、漏电极和栅电极，位于所述多个化合物半导体材料层上方。