[实用新型]一种CVD成膜装置有效
申请号: | 201520441298.X | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN204779797U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 吕世伟 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 乐卫国 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种CVD成膜装置,包括一腔室,在腔室顶部设置有上部电极,腔室下部设置有下部电极,下部电极与升降杆连接,玻璃基板放置在下部电极上,在玻璃基板的侧边设置用以限定玻璃基板位置的限位件,在所述腔室上设置有以便于观察玻璃基板在下部电极相对位置的透明观察窗口。本实用新型采用在腔室上设置透明观察窗口,以便于观察玻璃基板在下部电极相对位置的技术解决方案,实时观察确认膜边距,便于及时调整玻璃的位置来改善膜厚均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 cvd 装置 | ||
【主权项】:
一种CVD成膜装置,包括一腔室,在腔室顶部设置有上部电极,腔室下部设置有下部电极,下部电极与升降杆连接,玻璃基板放置在下部电极上,在玻璃基板的侧边设置用以限定玻璃基板位置的限位件,其特征在于,在所述腔室上设置有以便于观察玻璃基板在下部电极相对位置的透明观察窗口。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的