[实用新型]一种CVD成膜装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及CVD成膜技术领域，具体来说涉及一种CVD成膜装置。

背景技术

CVD成膜需控制成膜边距，常规的办法是成膜后，取出玻璃目视成膜边距，再确定是否需要调整机器放片位置。效率过低，不能及时有效监控成膜边距，成膜边距偏离时容易造成破片，膜厚不均匀等问题，极大影响CVD设备产能和成膜质量。

现有的CVD成膜装置有两种：

第一种，如图1所示，CVD成膜装置包括一带有气体接入口2的腔室1，在腔室顶部设置有上部电极3，腔室下部设置有下部电极4，下部电极4与升降杆5连接，玻璃基板6放置在下部电极4上，采用压框7压住玻璃基板。但是在实际生产过程中，随着产品数量的递增，下部电极的频繁上下作动，而发生玻璃基板脱离下部电极的原点，压框无法压住玻璃基板的情况；从而导致上、下部电极发生电弧现象，或者成膜均匀性恶化的现象。

第二种，如图2所示，CVD成膜装置包括一带有气体接入口2的腔室1，在腔室顶部设置有上部电极3，腔室下部设置有下部电极4，下部电极4与升降杆5连接，玻璃基板6放置在下部电极4上，在玻璃基板的两侧设置限位件8限定玻璃基板的位置。但是在实际生产过程中，随着产品数量的递增，下部电极的频繁上下作动，而发生玻璃基板脱离下部电极的原点，出现玻璃基板骑到限位件上的现象，从而导致上、下部电极发生电弧现象，或者成膜均匀性恶化的现象。

现有的设计因无法实时确认到成膜的腔室内部的具体状况（玻璃基板在下部电极的相对位置），不能及时通过调整玻璃的位置来改善膜厚均匀性，而需要借机降温开腔确认，进而影响机台的正常运行时间。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种CVD成膜装置，以解决现有技术中不方便实时观察确认膜边距的问题。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种CVD成膜装置，包括一腔室，在腔室顶部设置有上部电极，腔室下部设置有下部电极，下部电极与升降杆连接，玻璃基板放置在下部电极上，在玻璃基板的侧边设置用以限定玻璃基板位置的限位件，其特征在于，在所述腔室上设置有以便于观察玻璃基板在下部电极相对位置的透明观察窗口。

优选的，所述透明观察窗口共有四个，分别设置在上部电极的四角对应的位置。进一步，所述透明观察窗口为便于斜向观察下部电极的倾斜设置结构。

优选的，所述透明观察窗口设置在腔室的四个侧面上，且位置分别与下部电极的四角对应。

优选的，所述限位件为用以从上往下压住玻璃基板边部的压框。

优选的，所述限位件为设置在玻璃基板外侧用以防止玻璃基板移动的阻挡件。

优选的，所述透明观察窗口为石英石玻璃窗口。

本实用新型采用在腔室上设置透明观察窗口，以便于观察玻璃基板在下部电极相对位置的技术解决方案，实时观察确认膜边距，便于及时调整玻璃的位置来改善膜厚均匀性。

本实用新型的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。

附图说明

图1为现有技术中CVD成膜装置的示意图。

图2为现有技术中另一种CVD成膜装置的示意图。

图3为本实用新型的示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本实用新型。

参见图3，一种CVD成膜装置，包括一带有气体接入口2的腔室1，在腔室顶部设置有上部电极3，腔室下部设置有下部电极4，下部电极4与升降杆5连接，玻璃基板6放置在下部电极4上。在玻璃基板的侧边设置用以限定玻璃基板位置的限位件。限位件可以为用以从上往下压住玻璃基板边部的压框7。或者，限位件也可以选用设置在玻璃基板外侧用以防止玻璃基板移动的阻挡件。这些均为现有结构，在此不再详述。

在腔室上设置有以便于观察玻璃基板在下部电极相对位置的透明观察窗口9。透明观察窗口的材质为石英石玻璃。

透明观察窗口9共有四个，分别设置在上部电极的四角对应的位置。为便于斜向观察下部电极情况，该透明观察窗口9采用倾斜设置结构。

或者，透明观察窗口设置在腔室的四个侧面上，且位置分别与下部电极的四角对应。

本实用新型采用在腔室上设置透明观察窗口，以便于观察玻璃基板在下部电极相对位置的技术解决方案，实时观察确认膜边距，便于及时调整玻璃的位置来改善膜厚均匀性。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。