[实用新型]PMOS管构成的二极管结构及具备该二极管的整流桥电路有效
| 申请号： | 201520393355.1 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN204792793U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈利;任连峰;姜帆;高耿辉;高伟钧 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H02M7/217 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种PMOS管构成的二极管结构及具备该二极管的整流桥电路，其中PMOS管构成的二极管结构，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，该二极管结构N端连接所述第一PMOS管(P1)栅端、所述第一PMOS管(P1)源端、所述第二PMOS管(P2)漏端和所述第三PMOS管(P3)栅端，该二极管结构P端连接所述第一PMOS管(P1)漏端、所述第二PMOS管(P2)栅端和所述第三PMOS管(P3)漏端，所述第二PMOS管(P2)源端连接所述第三PMOS管(P3)源端和所述第一PMOS管(P1)衬底。本实用新型电路结构使用普通CMOS工艺实现，能够很好的实现与控制电路的单片集成，为客户节省产品电路面积，节省成本，利于客户产品微型化。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 构成 二极管 结构 具备 整流 电路 | ||
【主权项】：
一种PMOS管构成的二极管结构，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，其特征在于：该二极管结构N端连接所述第一PMOS管(P1)栅端、所述第一PMOS管(P1)源端、所述第二PMOS管(P2)漏端和所述第三PMOS管(P3)栅端，该二极管结构P端连接所述第一PMOS管(P1)漏端、所述第二PMOS管(P2)栅端和所述第三PMOS管(P3)漏端，所述第二PMOS管(P2)源端连接所述第三PMOS管(P3)源端和所述第一PMOS管(P1)衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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