[实用新型]PMOS管构成的二极管结构及具备该二极管的整流桥电路

权利要求书

1.一种PMOS管构成的二极管结构，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，其特征在于：该二极管结构N端连接所述第一PMOS管(P1)栅端、所述第一PMOS管(P1)源端、所述第二PMOS管(P2)漏端和所述第三PMOS管(P3)栅端，该二极管结构P端连接所述第一PMOS管(P1)漏端、所述第二PMOS管(P2)栅端和所述第三PMOS管(P3)漏端，所述第二PMOS管(P2)源端连接所述第三PMOS管(P3)源端和所述第一PMOS管(P1)衬底。

2.一种整流桥电路，包括四个权利要求1中所述的二极管结构，分别为第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)和第四二极管(D4)，其特征在于：所述整流桥第一输入端(VI1)连接所述第一二极管(D1)的N端和所述第三二极管(D3)的N端，所述整流桥第二输入端(VI2)连接所述第二二极管(D2)的P端和所述第四二极管(D4)的P端，所述整流桥第一输出端(VO1)连接所述第一二极管(D1)的P端和所述第二二极管(D2)的N端，所述整流桥第二输出端(VO2)连接所述第三二极管(D3)的P端和所述第四二极管(D4)的N端。