[实用新型]磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器有效
申请号: | 201520393065.7 | 申请日: | 2015-06-09 |
公开(公告)号: | CN204679616U | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 姜帆;陈利;杨瑞聪;高耿辉;高伟钧 | 申请(专利权)人: | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07;G01R35/00 |
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地址: | 361008 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开一种磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器,其中,磁传感器双向灵敏度调整电路包括一霍尔盘HP,还包括一由第十PMOS管M10和第十一PMOS管M11组成的第一电流镜、由第一NMOS管M1和第二NOMS管M2组成的第二电流镜、由第七NMOS管M7和第八NMOS管M8组成的第三电流镜,由第三PMOS管M3和第四NMOS管M4组成的反相器以及一电流源组。本实用新型通过在霍尔传感器芯片上集成双向灵敏度调整电路,对芯片的成品进行修调,提高产品良率,并可通过调整传感器的灵敏度,产品调整至目标磁场灵敏度,有效的针对目标客户。 | ||
搜索关键词: | 传感器 双向 灵敏度 调整 电路 具备 | ||
【主权项】:
一种磁传感器双向灵敏度调整电路,包括一霍尔盘(HP),其特征在于:还包括一由第十PMOS管(M10)和第十一PMOS管(M11)组成的第一电流镜、由第一NMOS管(M1)和第二NOMS管(M2)组成的第二电流镜、由第七NMOS管(M7)和第八NMOS管(M8)组成的第三电流镜,由第三PMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)组成的反相器以及一电流源组;所述霍尔盘(HP)电源端连接所述第一电流镜的第二输出端,所述第一电流镜的第一输入端连接所述第一电流镜的第二输入端、所述电流源组输入端、所述反相器输入端、一电流源输入端和系统电源正端,所述第一电流镜的第一输出端连接所述第二电流镜的第二输入端、所述第三电流镜的第二输入端和一第九NMOS管(M9)输出端,所述第九NMOS管(M9)输入端连接所述电流源组输出端和一第六NMOS管(M6)输入端,所述第六NMOS管(M6)输出端连接所述第三电流镜的第一输入端和一第五NMOS管(M5)输入端,所述第九NMOS管(M9)控制端连接所述第五NMOS管(M5)控制端、所述反相器控制端和一开关(K0),所述第六NMOS管(M6)控制端连接所述第三PMOS管(M3)输出端和第四NMOS管(M4)输入端,所述电流镜输出端连接所述第二电流镜的第一输入端,所述第二电流镜的第一输出端连接所述反相器输出端、所述第五NMOS管(M5)输出端、所述第三电流镜的第一输出端、所述第三电流镜的第二输出端、所述第二电流镜的第二输出端、所述霍尔盘(HP)接地端和系统电源负端。
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