[实用新型]磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁传感器领域，具体说是一种磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器。

背景技术

开关型的霍尔磁场传感器芯片在生产的过程由于工艺漂移、封装应力等因素的影响，成品的磁场灵敏度会有波动。成品一般通过测试，按照磁场的灵敏度大小进行分类，形成不同的产品等级出售给客户。在灵敏度超出或者低于所确定的范围之外的芯片，将作为废品报废，这将降低了产品的良率。

其中，一种现有技术磁传感器(CN201080028529)，该专利是调整霍尔器件的几何形状来调整灵敏度，调整几何形状后，霍尔器件将变成非对称结构，不适合单片集成。

此外，另一现有技术一种可编程开关型霍尔传感器(CN201410183714)，该专利是通过改变迟滞比较器的阈值比较电压来实现灵敏度的调整，在实际的操作过程中，可能需要经过芯片的多次测试和多次调整才能达到预定的灵敏度，较为繁琐。

实用新型内容

本实用新型为解决上述问题，提供了一种磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种磁传感器双向灵敏度调整电路，包括一霍尔盘HP，还包括一由第十PMOS管M10和第十一PMOS管M11组成的第一电流镜、由第一NMOS管M1和第二NOMS管M2组成的第二电流镜、由第七NMOS管M7和第八NMOS管M8组成的第三电流镜，由第三PMOS管M3和第四NMOS管M4组成的反相器以及一电流源组；所述霍尔盘HP电源端连接所述第一电流镜的第二输出端，所述第一电流镜的第一输入端连接所述第一电流镜的第二输入端、所述电流源组输入端、所述反相器输入端、一电流源输入端和系统电源正端，所述第一电流镜的第一输出端连接所述第二电流镜的第二输入端、所述第三电流镜的第二输入端和一第九NMOS管M9输出端，所述第九NMOS管M9输入端连接所述电流源组输出端和一第六NMOS管M6输入端，所述第六NMOS管M6输出端连接所述第三电流镜的第一输入端和一第五NMOS管M5输入端，所述第九NMOS管M9控制端连接所述第五NMOS管M5控制端、所述反相器控制端和一开关K0，所述第六NMOS管M6控制端连接所述第三PMOS管M3输出端和第四NMOS管M4输入端，所述电流镜输出端连接所述第二电流镜的第一输入端，所述第二电流镜的第一输出端连接所述反相器输出端、所述第五NMOS管M5输出端、所述第三电流镜的第一输出端、所述第三电流镜的第二输出端、所述第二电流镜的第二输出端、所述霍尔盘HP接地端和系统电源负端。

在本实用新型一实施例中，所述电流源组包括N个电流源支路并联，所述每个电流源支路由一电流源和一开关串联组成，其中N为正整数。

在本实用新型一实施例中，一种磁传感器，该磁传感器包括权利要求1中所述的磁传感器双向灵敏度调整电路。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过在霍尔传感器芯片上集成双向灵敏度调整电路，对芯片的成品进行修调，提高产品良率，并可通过调整传感器的灵敏度，产品调整至目标磁场灵敏度，有效的针对目标客户。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型原理框图；

图2为本实用新型一具体实施例原理图。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。