[实用新型]一种隔离MOSFET驱动电路

摘要

本实用新型涉及一种隔离MOSFET驱动电路，属于电力电子驱动应用技术领域。本实用新型包括高频隔离变压器T，隔直电容C1、隔直电容C2、电容C3，二极管D1、D2、D3，三极管V1、V2，MOSFET管Q。本实用新型能够解决因隔离变压器存在漏感而导致的驱动电流不足的问题，驱动能力强，结构简单。在该电路中巧妙的利用电容能够瞬间提供大电流来弥补隔离变压器开通瞬间电流不足的缺陷，从而来实现快速开通，同时在关断瞬间由PNP三极管与MOSFET输入电容构成回路，将输入电容的电荷迅速放出，实现快速关断。

主权项

一种隔离MOSFET驱动电路，其特征在于：包括高频隔离变压器T，隔直电容C1、隔直电容C2、电容C3，二极管D1、D2、D3，三极管V1、V2，MOSFET管Q；所述隔直电容C1与高频隔离变压器T的原边线圈相连，所述高频隔离变压器T的副边线圈经过隔直电容C2再分别与二极管D1的负极、二极管D2的正极、三极管V1基极、三极管V2基极相连，二极管D1的正极分别与三极管V2的集电极、二极管D3的正极、MOSFET管Q的源极相连，二极管D2的负极分别与三极管V1的集电极、电容C3的一端相连，电容C3的另一端与MOSFET管Q的源极相连，三极管V1发射极和三极管V2发射极分别与二极管D3的负极、MOSFET管Q的栅极相连。