[实用新型]一种隔离MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种隔离MOSFET驱动电路，其特征在于：包括高频隔离变压器T，隔直电容C1、隔直电容C2、电容C3，二极管D1、D2、D3，三极管V1、V2，MOSFET管Q；

所述隔直电容C1与高频隔离变压器T的原边线圈相连，所述高频隔离变压器T的副边线圈经过隔直电容C2再分别与二极管D1的负极、二极管D2的正极、三极管V1基极、三极管V2基极相连，二极管D1的正极分别与三极管V2的集电极、二极管D3的正极、MOSFET管Q的源极相连，二极管D2的负极分别与三极管V1的集电极、电容C3的一端相连，电容C3的另一端与MOSFET管Q的源极相连，三极管V1发射极和三极管V2发射极分别与二极管D3的负极、MOSFET管Q的栅极相连。