[实用新型]功率半导体模块有效
| 申请号： | 201520307158.3 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN204792786U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈嵩 | 申请（专利权）人： | 富士电机(中国)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 200063 上海市普*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率半导体模块，包括：基板，在该基板上安装一个或多个功率半导体装置；壳体，该壳体将安装有功率半导体装置的基板收纳在内；盖板，该盖板覆盖在壳体上方以构成封闭的空间，所述功率半导体装置由IGBT、以及与所述IGBT反并联连接的二极管构成，所述IGBT的栅极和发射极分别与外部栅极端子和外部发射极端子相连接，在所述外部栅极端子和所述外部发射极端子之间、且在所述壳体的内表面，设置电容器。由此能在总损耗即开通损耗和反向恢复损耗之和不增加或略微增加的前提下，减小FWD反向恢复的dv/dt。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，其特征在于，包括：基板，在该基板上安装一个或多个功率半导体装置；壳体，该壳体将安装有功率半导体装置的基板收纳在内；盖板，该盖板覆盖在壳体上方以构成封闭的空间，所述功率半导体装置由IGBT、以及与所述IGBT反并联连接的二极管构成，所述IGBT的栅极和发射极分别与外部栅极端子和外部发射极端子相连接，在所述外部栅极端子和所述外部发射极端子之间、且在所述壳体的内表面，设置电容器。
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