[实用新型]一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置有效
| 申请号： | 201520285535.8 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN204570081U | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 高玉强;宗艳民;宋建;王希杰;张红岩 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250101 山东省济南市历下*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，属于单晶生长领域。一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，包括生长室，其特征是：所述生长室采用下开盖方式，生长室的外部设置可上下移动的感应加热器，所述生长室的下部连接有大气隔离室，大气隔离室上设置有操作窗口，大气隔离室的一侧连接有过渡室，所述过渡室内设有去除杂质的加热装置，所述气隔离室、过渡室和生长室上均设有保持内部环境处于保护气体状态或真空状态的机构，大气隔离室的下部还设有吸尘器接口。本实用新型用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，该装置能有效去除杂质，优化碳化硅生长环境，并且能够完成原位退火，有利于大尺寸碳化硅单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 尺寸 高纯 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，包括生长室(9)，其特征是：所述生长室(9)采用下开盖方式，生长室(9)的外部设置可上下移动的感应加热器，所述生长室(9)的下部连接有大气隔离室(1)，大气隔离室(1)上设置有操作窗口，大气隔离室(1)的一侧连接有过渡室(15)，所述过渡室(15)内设有去除杂质的加热装置，所述大气隔离室、过渡室和生长室上均设有保持内部环境处于保护气体状态或真空状态的机构，大气隔离室(1)的下部还设有吸尘器接口(22)。
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