[实用新型]一种快速生长无包裹物碳化硅单晶的生长室有效

专利信息
申请号: 201520285511.2 申请日: 2015-05-05
公开(公告)号: CN204570085U 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 宗艳民;高玉强;宋建;张志海;刘家朋;张红岩;李加林 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 苗峻;杨婷
地址: 250000 山东省济南市历下区*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型属于晶体生长领域,涉及一种快速生长无包裹物碳化硅单晶的生长室,生长室内壁顶部设有籽晶托,生长室内部套有与生长室同轴且顶端低于生长室顶端的内筒,所述的内筒由石墨滤网围绕而成;内筒顶端外沿与生长室内壁之间设有石墨滤网;所述的石墨滤网两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层;所述的耐高温金属化合物涂层选自稀有金属的碳化物或稀有金属的氮化物或其混合物;所述的稀有金属选自钽或铪或铌或钛或锆或钨或钒。本实用新型结构简单,使用方便,采用本实用新型,可以较好的阻挡C颗粒的输送,同时保证碳化硅升华产生气体的快速通过,这样既去除了碳化硅单晶中的包裹物,又保证了碳化硅单晶的正常、快速生长,可以广泛推广和应用。
搜索关键词: 一种 快速 生长 包裹 碳化硅
【主权项】:
一种快速生长无包裹物碳化硅单晶的生长室,生长室内壁顶部设有籽晶托(1),其特征在于:生长室内部套有与生长室同轴且顶端低于生长室顶端的内筒,所述的内筒由石墨滤网(2)围绕而成;内筒顶端外沿与生长室内壁之间设有石墨滤网(2);所述的石墨滤网(2)两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层(3);所述的耐高温金属化合物涂层(3)选自稀有金属的碳化物或稀有金属的氮化物或其混合物;所述的稀有金属选自钽或铪或铌或钛或锆或钨或钒。
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