[实用新型]一种快速生长无包裹物碳化硅单晶的生长室有效

专利信息
申请号: 201520285511.2 申请日: 2015-05-05
公开(公告)号: CN204570085U 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 宗艳民;高玉强;宋建;张志海;刘家朋;张红岩;李加林 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 苗峻;杨婷
地址: 250000 山东省济南市历下区*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 生长 包裹 碳化硅
【权利要求书】:

1.一种快速生长无包裹物碳化硅单晶的生长室,生长室内壁顶部设有籽晶托(1),其特征在于:生长室内部套有与生长室同轴且顶端低于生长室顶端的内筒,所述的内筒由石墨滤网(2)围绕而成;内筒顶端外沿与生长室内壁之间设有石墨滤网(2);所述的石墨滤网(2)两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层(3);

所述的耐高温金属化合物涂层(3)选自稀有金属的碳化物或稀有金属的氮化物或其混合物;

所述的稀有金属选自钽或铪或铌或钛或锆或钨或钒。

2.根据权利要求1所述的快速生长无包裹物碳化硅单晶的生长室,其特征在于:所述的石墨滤网(2)的孔径小于10微米。

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