[实用新型]多晶硅还原炉的绝缘盘有效
| 申请号: | 201520197422.2 | 申请日: | 2015-04-02 |
| 公开(公告)号: | CN204625195U | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
| 发明(设计)人: | 李刚 | 申请(专利权)人: | 新德隆特种陶瓷(大连)有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03 |
| 代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 郑自群 |
| 地址: | 116452 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 本实用新型提出了一种多晶硅还原炉的绝缘盘,包括盘体,其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔,该盘体为氮化硅盘体,所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽,所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽,所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽,所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径,所述盘体的下表面上设有第三凹槽,该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽,所述环槽为圆环状,其由盘体的侧面中部向内凹进形成。本实用新型中的绝缘盘由于设有环槽,增大了绝缘盘自身的弹性系数,对导体组件有一个缓冲作用,大大提高了导体组件的受挤压能力,且为氮化硅绝缘盘,绝缘及稳定性好。 | ||
| 搜索关键词: | 多晶 还原 绝缘 | ||
【主权项】:
一种多晶硅还原炉的绝缘盘,包括盘体,该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面,其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔,其特征在于:所述盘体为氮化硅盘体,所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽,所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽,所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽,所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径,所述盘体的下表面上设有第三凹槽,该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽,所述环槽为圆环状,其由盘体的侧面中部向内凹进形成。
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