[实用新型]多晶硅还原炉的绝缘盘有效

专利信息
申请号: 201520197422.2 申请日: 2015-04-02
公开(公告)号: CN204625195U 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 李刚 申请(专利权)人: 新德隆特种陶瓷(大连)有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 郑自群
地址: 116452 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 多晶 还原 绝缘
【权利要求书】:

1.一种多晶硅还原炉的绝缘盘,包括盘体,该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面,其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔,其特征在于:所述盘体为氮化硅盘体,所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽,所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽,所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽,所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径,所述盘体的下表面上设有第三凹槽,该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽,所述环槽为圆环状,其由盘体的侧面中部向内凹进形成。

2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述第一凹槽及第二凹槽的中心与通孔的中心相同。

3.如权利要求2所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述第三凹槽与盘体上表面的第二凹槽上下对应,且大小相同。

4.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述盘体于通孔周缘的上、下两侧分别设有一锥形环槽,每一锥形环槽分别由通孔的顶端及底端向通孔的中部呈渐缩状延伸。

5.如权利要求1至4任何一项所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述盘体的直径为200mm,所述通孔的直径为80mm,所述第一凹槽的直径为134.5mm,该第二凹槽与第三凹槽的直径相同,均为128mm。

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