[实用新型]多晶硅还原炉的绝缘盘有效
| 申请号: | 201520197422.2 | 申请日: | 2015-04-02 |
| 公开(公告)号: | CN204625195U | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
| 发明(设计)人: | 李刚 | 申请(专利权)人: | 新德隆特种陶瓷(大连)有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03 |
| 代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 郑自群 |
| 地址: | 116452 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 还原 绝缘 | ||
1.一种多晶硅还原炉的绝缘盘,包括盘体,该盘体包括圆形的上表面、与该上表面相对的圆形的下表面及连接于该上、下表面之间的侧面,其中部设有一贯穿盘体上、下表面的圆形的通孔,其特征在于:所述盘体为氮化硅盘体,所述盘体的上表面上设有第一凹槽及第二凹槽,所述第一凹槽为由盘体的上表面向下凹进形成的圆环形槽,所述第二凹槽为由该第一凹槽的底面向下凹进形成的圆环形槽,所述第一凹槽的内径大于第二凹槽的内径,所述盘体的下表面上设有第三凹槽,该第三凹槽为由盘体的下表面向上凹进形成的圆环形槽,所述环槽为圆环状,其由盘体的侧面中部向内凹进形成。
2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述第一凹槽及第二凹槽的中心与通孔的中心相同。
3.如权利要求2所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述第三凹槽与盘体上表面的第二凹槽上下对应,且大小相同。
4.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述盘体于通孔周缘的上、下两侧分别设有一锥形环槽,每一锥形环槽分别由通孔的顶端及底端向通孔的中部呈渐缩状延伸。
5.如权利要求1至4任何一项所述的多晶硅还原炉的绝缘盘,其特征在于:所述盘体的直径为200mm,所述通孔的直径为80mm,所述第一凹槽的直径为134.5mm,该第二凹槽与第三凹槽的直径相同,均为128mm。
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