[实用新型]一种台面型红外探测器引出电极的结构有效
| 申请号： | 201520185676.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN204516778U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 黄玥;叶振华;马伟平;陈昱;刘丹;丁瑞军;何力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种台面型红外探测器引出电极的结构，在台面顶部引出电极一，在台面底部引出电极二，两电极的顶部处于一个水平高度。该结构的优点在于制备工艺简单，能够提高台面型红外探测器引出电极的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台面 红外探测器 引出 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种台面型红外探测器引出电极的结构，它由引出电极一(5)和引出电极二(6)构成，其特征在于：所述的引出电极一(5)位于台面顶部光敏层一(4)上，引出电极二(6)位于台面底部光敏层二(2)上，引出电极一(5)和引出电极二(6)两电极的顶部处于一个水平高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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