[实用新型]一种台面型红外探测器引出电极的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造工艺领域，具体涉及一种台面型红外探测器引出电极结构。

背景技术

红外探测器是一种集红外信息获取和处理于一体的成像传感器。经过第一代和第二代持续的发展，红外探测器已经在空间、军事和国民经济等领域发挥了重要作用(Rogalski A,Antoszewski J,Faraone L,Third-generation infrared photodetector arrays[J],Journal of Applied Physics,105(09),2009,091101-1)。双色探测器作为第三代红外探测器的一个重要分支得到了相当的重视，相继有单电极结构(R.D.Rajavel,D.M.Jamba,O.K.Wa,J.E.Jensen,High performance HgCdTe two-color infrared detectors grown by molecular beam epitaxy,Journal of Crystal Growth,175/176,1997,653-658)、双电极单离子注入结构(R.D.Rajavel,D.M.Jamba,J.E.Jensen,Molecular beam epitaxial growth and performance of integrated multispectral HgCdTe photodiodes for the detection of mid-wave infrared radiation,Journal of Crystal Growth,184,1998,1272-1278)、双电极双离子注入结构(R.D.Rajavel,D.M.Jamba,J.E.Jensen,Molecular beam epitaxial growth and performance of HgCdTe-based simultaneous-mode two-color detectors,Journal of Electronic Materials,27(6),1998,747-751)和环孔结构(R.Breiter,W.Cabanski,Portable sequential multicolor thermal imager based on a MCT 384x288focal plane arrays,Proceeding of SPIE,4369,2001,579)报道。其中双电极双离子注入结构因为可以直接采用单色芯片的成熟工艺，且实现双波段信号的同时读取而具有明显优势。双电极双离子注入结构在制备工艺上需要通过刻蚀或者腐蚀的方法制备台面，然后从台面底部引出第二个波段的信号。叶振华(Ye.Z.H,Li Y,Hu W.D,Chen L,Liao Q.J,Chen H.L,Lin C,Hu X.N,Ding R.J,He L,Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector,Journal of Infrared and Millimeter Waves,31(6),2012,497-500)等人采用干法刻蚀微台面成形、爬坡金属化的方法成功获得了中心距为50μm的128×128中波/长波双电极双离子注入结构红外焦平面器件。但是，随着光敏元中心距的进一步缩小，干法刻蚀获得的微台面顶部将没有足够的空间来制备两个引出电极。

发明内容

本实用新型的目的是提出一种台面型红外探测器引出电极的结构，以满足台面型器件台面顶部和底部两个非平面引出电极顶点等平面的要求。

本实用新型的电极的结构由引出电极一5和引出电极二6构成，其中:

所述的引出电极一5位于台面顶部光敏层一4上，引出电极二6位于台面底部光敏层二2上，引出电极一5和引出电极二6两电极的顶部处于一个水平高度。

所述的引出电极一5和引出电极二6的材料为金属或合金。

本实用新型的制备方法如下：首先在台面底部的光敏层二2上制备引出电极二6下半段，其高度于台面等高；然后在台面顶部光敏层一4和已经存在的引出电极二6上同时再次制备引出电极，以实现台面底部光敏层二2的引出电极二6和台面顶部光敏层一4的引出电极一5的顶部在一个水平，如图1所示。

本实用新型的优点在于制备工艺简单，能够提高台面型红外探测器引出电极的可靠性。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。