[实用新型]正电极副栅线结构有效
申请号: | 201520166437.2 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN204497241U | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 陆东开;樊选东;钱明星;关统州;钱小芳 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人: | 李中华 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种正电极副栅线结构,包括若干根副栅线,副栅线在水平方向上均匀的平行排列着,副栅线之间依次首尾相接,并形成S型的连接结构;且每两根栅线之间通过边线连接;副栅线的起始头端与结束尾端分别按回路连接;且边线距离硅片边缘1~2mm,副栅线与边线的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一致。通过改变副栅线的分布方式来增加光生载流子数量,最大限度地降低了金属电极的遮光面积,提高了短路电流,减少了烧结过程中造成的金属复合,增加了开路电压,最终提升了转换效率。同时,本专利的副栅线设计也减少了银浆的使用,极大限度地降低了电池生产成本,有望降低单块太阳能电池片的售价,提高经济效益。 | ||
搜索关键词: | 电极 副栅线 结构 | ||
【主权项】:
一种正电极副栅线结构,其特征在于:包括若干根副栅线(1),所述副栅线(1)在水平方向上均匀的平行排列着,所述副栅线(1)之间依次首尾相接,并形成S型的连接结构;且副栅线(1)之间每两根栅线之间通过边线(2)连接;所述副栅线(1)的起始头端与结束尾端分别按回路连接;所述副栅线(1)的边线(2)距离硅片边缘1mm~2mm,且副栅线(1)与边线(2)的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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