[实用新型]正电极副栅线结构

权利要求书

1.一种正电极副栅线结构，其特征在于：包括若干根副栅线(1)，所述副栅线(1)在水平方向上均匀的平行排列着，所述副栅线(1)之间依次首尾相接，并形成S型的连接结构；且副栅线(1)之间每两根栅线之间通过边线(2)连接；所述副栅线(1)的起始头端与结束尾端分别按回路连接；所述副栅线(1)的边线(2)距离硅片边缘1mm～2mm，且副栅线(1)与边线(2)的四个角的倒角尺寸与硅片四个角的倒角尺寸一致。

2.根据权利要求1所述的正电极副栅线结构，其特征在于：所述副栅线(1)的线宽为30um～50um，烧宽为40um～70um。

3.根据权利要求1或2所述的正电极副栅线结构，其特征在于：所述副栅线(1)与边线(2)的倒角直角边长为0.5mm～1.5mm,且倒角角度α为45°±10ˊ。

4.根据权利要求3所述的正电极副栅线结构，其特征在于：所述副栅线(1)的根数为60～130根，且其间距为1mm～3mm。