[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 201520164594.X | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN204424259U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯;Z·豪森;J·R·吉塔特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种电子器件，该电子器件能够包含电子构件以及与电子构件区相邻的终止区。在一种实施例中，终止区能够包含延伸到半导体层内达某一深度的绝缘区，其中该深度小于半导体层的厚度的50％。在另一种实施例中，终止区能够包含延伸到半导体层内达第一深度的第一绝缘区，以及延伸到半导体层内达第二深度的第二绝缘区，其中第二深度小于第一深度。在另一个方面中，形成电子器件的过程能够包括图形化半导体层以在终止区内限定沟槽，而另一个沟槽正被形成用于电子构件区内的电子构件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，其特征在于包括：电子构件区；以及终止区，与所述电子构件区相邻，并且包括：基板；位于所述基板之上的垂直区；具有厚度、主表面和相反表面的半导体层，其中：所述半导体层位于所述基板之上；并且所述基板与到所述主表面相比更靠近所述相反表面；以及延伸到所述半导体层之内达一深度的绝缘区，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％。
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