[实用新型]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，其特征在于包括：

电子构件区；以及

终止区，与所述电子构件区相邻，并且包括：

基板；

位于所述基板之上的垂直区；

具有厚度、主表面和相反表面的半导体层，其中：

所述半导体层位于所述基板之上；并且

所述基板与到所述主表面相比更靠近所述相反表面；以及

延伸到所述半导体层之内达一深度的绝缘区，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于：

所述基板包含具有第一导电类型的隐埋导电区；并且

所述垂直区包含具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂垂直区，其中所述掺杂垂直区电浮置。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于：

所述基板包含具有第一导电类型的隐埋导电区；并且

所述垂直区包含具有所述第一导电类型的掺杂垂直区，其中所述掺杂垂直区位于所述隐埋导电区之上且与其电连接。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电子器件，其特征在于还包含位于所述半导体层和所述绝缘区之上的场电极。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于还包含位于所述基板之上的垂直区，其中根据顶视图：

在所述终止区内的所述半导体层被置于所述垂直区与所述电子构件区之间；并且

所述场电极延伸从所述电子构件区到所述垂直区的距离的30％～80％。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于还包含位于所述场电极之上的模塑料。

7.一种电子器件，其特征在于包括：

电子构件区；

终止区，与所述电子构件区相邻，并且包括：

基板；

具有厚度、主表面和相反表面的半导体层，其中所述半导体层位于所述基板之上，并且所述基板与到所述主表面相比更接近所述相反表面；

延伸到所述半导体层之内达第一深度的第一绝缘区；以及

延伸到所述半导体层之内达第二深度的第二绝缘区，其中所述第二深度小于所述第一深度；以及

位于所述半导体层、所述第一绝缘区和所述第二绝缘区之上的场电极。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于所述第一深度为所述第二深度的2～5倍。

9.根据权利要求7或8所述的电子器件，其特征在于所述第二绝缘区具有所述第一绝缘区的宽度的5％～30％的宽度。

10.一种电子器件，其特征在于包括：

电子构件区；

终止区，与所述电子构件区相邻，并且包括：

包含具有第一导电类型的隐埋导电区的基板；

垂直区，位于所述隐埋导电区之上，并且包含具有所述第一导电类型的且与所述隐埋导电区电连接的垂直掺杂区；

具有厚度、主表面和相反表面的半导体层，其中：

所述半导体层位于所述隐埋导电区之上；

所述半导体层具有所述第一导电类型并且直接接触所述垂直掺杂区；并且

所述隐埋导电区与到所述主表面相比更接近所述相反表面；

延伸到所述半导体层之内达一深度的绝缘区，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％；

具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂区，其中所述掺杂区被置于所述电子构件区与所述终止区内的所述绝缘区之间；以及

位于所述基板之上的垂直区，其中在所述终止区内的所述半导体层被置于所述垂直区与所述电子构件区之间；

位于所述半导体层和所述绝缘区之上的场电极；以及

位于所述场电极、所述绝缘区和所述半导体层之上的模塑料。