[实用新型]欠电压保护电路有效

专利信息
申请号: 201520156737.2 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN204464965U 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 朱志勇;崔炎;王小六 申请(专利权)人: 苏州松田微电子有限公司
主分类号: H02H7/10 分类号: H02H7/10;H02H3/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了本实用新型的技术方案是设计一种欠电压保护电路,包括直流电源输入端、接地点、PNP三极管、NPN三极管和欠压信号线。 本实用新型欠电压保护电路,其能检测输入电压是否低于额定范围。
搜索关键词: 电压 保护 电路
【主权项】:
欠电压保护电路,其特征在于,包括直流电源输入端、接地点、PNP三极管、NPN三极管和欠压信号线;所述直流电源输入端通过第一支路连接接地点;所述第一支路上由直流电源输入端至接地点依次串联有第一电阻和第二电阻;所述第二电阻两端还并联有第一电容;所述直流电源输入端还通过第二支路连接PNP三极管的集电极;所述第二支路上由直流电源输入端至PNP三极管集电极依次串联有第三电阻和第四电阻;所述PNP三极管的基极通过第三支路连接第一支路;所述第三支路与第一支路的连接点位于第一电阻和第二电阻之间;所述第三支路上设有二极管,所述二极管的正极与PNP三极管的基极连接;所述PNP三极管的发射极通过第四支路连接接地点;所述第四支路上设有第五电阻;所述NPN三极管的基极与PNP三极管的集电极连接;所述NPN三极管的发射极连接接地点;所述NPN三极管的集电极通过第五支路连接接地点;所述第五支路上设有第二电容;所述欠压信号线连接NPN三极管的集电极。
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